《陈星陈亚鹏》第二百零四章 深挖芯片材料，进军东南亚效仿大米？ (1/8)

󠁿󠁨󠁴󠁴󠁰󠀺󠀯󠀯󠁷󠁷󠁷󠀮󠁨󠁰󠁧󠁹󠁧󠁬󠁡󠁳󠁳󠀮󠁣󠁮󠀯󠁸󠁳󠀯󠁚󠁕󠁉󠁄󠁉󠁉󠀯󠁃󠁕󠁚󠁃󠁏󠁕󠁅󠁔󠀮󠁨󠁴󠁭󠁬󠁼󠀶󠁚󠁭󠁉󠀵󠁰󠁩󠁦󠀶󠁚󠁭󠁉󠀵󠁌󠁱󠁡󠀶󠁢󠁭󠁐󠁿    “如果要用一句话概括，那就是这款光刻胶是我专门为多重曝光技术而设计的产品。”

    当陈星听见这句话那刻，心中也泛起了波澜。

    因为没有13.5极紫外光的EUV光刻机，各个环节都需要配合多重曝光技术去设计。

    想弄更先进的光刻胶？

    不好意思。

    48纳米DUV光刻机不支持！

    因为48纳米的DUV光刻胶照射出来的光源是193纳米，如果光刻胶不能适配这个数值，那将无法参与芯片生产。
    “辛苦了。”

    纵使有千言万语，陈星也只能化作这三个字。

    他已经打定主意了，只要光刻工厂宣布建设完成，并投入使用那刻，就是彻底与西方摊牌，半导体领域全面反击的时刻。

    “职责所在。”朱明月淡淡一笑，又拿起旁边的罐子道：“刚才的是正胶，这罐是反胶，总裁可以带回去试试效果。”

    虽然光刻胶种类多，大致分为六种，不过40纳米以下芯片用的光刻胶一般都是ArF光刻胶，而它又区分正反胶。

    何为光刻正反胶？

    就比如说ArF光刻胶的正胶，它被紫外光照射后，照射区域的化学性质会变得容易溶解，因此经过曝光的区域会被移除，形成电路图案，未曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。

    至于ArF光刻胶的反胶，它被紫外光照射则截然相反，未曝光区域的化学性质变得容易溶解，因此未经曝光的区域会被移除，形成图案，经曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。

    光刻正反胶，它们分别对应了不同的光刻生产工艺，也是硅片曝光的必备。

    “对了。”

    朱明月在拿出光刻胶后，还不忘提一嘴道：“这款光刻胶阻抗是10的20次方，领先JSR株式会社、TOK东京应化5个次方。

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